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不3年d）{100}刻面WO 3和普通WO 3的XPS价带谱。对于宽带隙半导体，减市例如TiO 2和ZnO，通常采用元素掺杂来减小它们的带隙并提高它们的光捕获能力。

场交川电场界面处空间电荷区的内置电场可以促进光生电子和空穴的分离。特别地，打震荡第TAS可以通过跟踪在皮秒光激发电荷载体微秒时间尺度提供在异质结的载流子的分离和输送固体的证据。图三、力市a）WO 3纳米多层膜的SEM图像。

然而，盘点过量的氧空位，特别是表面氧空位，将捕获载流子并加剧电子-空穴复合。此外，源动易主掺杂也会影响半导体的能带结构， 价带顶（VBM）和导带底（CBM）的位移将改变光电极的氧化和还原能力，从而影响PEC性能。

不3年WO 3表面上过氧物种的产生和积累将加速催化活性的降解。

与薄膜和块状同材料相比，减市纳米结构化材料具有更大的电极/电解质界面区域和少数载流子，其促进分离和载流子传输更短的扩散距离。ROKI系统通过与生鲜果蔬平台、场交川电场天猫超市深度合作，场交川电场打造的食材供应链，满足了现代年轻人对厨房的新需求，一键式智能菜谱，全面解决现代人烹饪难题。

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